超净室(电光学科楼B-128/129)仪器设备简介

采用全自动控制方式，触摸屏/无线鼠标操作，数字化显示，Windows界面风格；
通过软、硬件相互配合的传感技术、互锁技术、超时控制、智能监控、在线状态记忆、断点保护、安全日志、操作日志等设计，使设备的安全性、可靠性得到有效保证；
采用e型枪：阳极电压6KV-15KV，带有XY偏转扫描；4穴、6穴、8穴、环形可选，12cc、22cc、40cc、85cc，间接或直接水冷方式，带有可自动开启挡板；
采用钨、钼金属蒸发舟；
工作加热条件：室温~300℃，控温精度±1%。

等离子增强化学气相淀积系统（PECVD）（需参加设备操作考试，需预约）

型号：HQ-2

厂商：中国科学院微电子研究所

设备特点：

膜质量高。它不同于通常使用的翻盖式单室机（易漏大气而使淀积的薄膜质量不高），而是一种操作方便的双室系统。由于采用了特殊的反应室结构设计，在薄膜生长过程中反应室不存在漏大气的问题，因此生成的膜质量很高。例如，生长的SiNx薄膜抗氢氟酸和氢氧化钾腐蚀的能力强。折射系数大于2。
粉尘少。特殊腔室结构克服了以往常规方法淀积时粉尘多的缺点。
均匀性好。反应室内采用了多级匀气系统，故薄膜的均匀性好。
淀积温度范围宽（100～600℃可调），工作控温精度在±1℃。
除淀积SiN、SiO2、非晶硅、多晶硅外，还可用于探索特殊新材料的研究。

性能指标：

特别的平板式双反应室系统1套。带加温和匀气系统；
机械泵2个；分子泵1套，带控制电源；
射频电源一套，带正向功率和反射功率计指示，带匹配器；
数字定时器1只，精度1秒；
数字温度控制系统1套，控制精度±1度；
自动恒（气）压系统1套（自选件）；
质量流量计4个；气路4路（可增选）；
PECVD淀积：二氧化硅，氮化硅，类金刚石等；
均匀性误差：≤±4％（4英寸内）；
4英寸，兼容3英寸，2英寸及小碎片；
工作温度：100～600℃，控温精度：≤±1℃。

多功能磁增强反应离子刻蚀机（需参加设备操作考试，需预约）

型号：ME-3A

厂商：中国科学院微电子研究所

性能指标：该设备最大刻蚀5²直径样片，均匀性优于±5%。

使用范围：

该设备既可作反应离子刻蚀（RIE），又可作磁增强反应离子刻蚀（MERIE）。

该设备不仅可用于常规的半导体干法刻蚀，还特别适用于亚微米和边沿陡直图形的刻蚀，可刻蚀Si₃N₄、SiO₂、Si、光刻胶和聚乙酰亚胺等材料。

磁控溅射镀膜设备（定）（需参加设备操作考试，需预约）

厂商：沈阳慧宇真空技术有限公司

使用范围：可用于制备金属膜、介质膜以及实验室新材料研究领域。

性能指标：

极限真空度：3×10^-5Pa；
真空室：内径400×350，样品架在真空室上盖上，尺寸直径20，电动、手动升降，转速10-60转/分可调；加热温度500°C,程序控温；靶尺寸：直径60，每靶均可手动相对样品移动，移动距离40mm；
电源：直流电源两台，功率：500W；射频电源一台，功率500W；
日本原装质量流量计，精确设定进气量。美国产水流开关控制溅射靶枪冷却水的流量，避免由于水量不足损坏溅射靶枪。

4″单面光刻机（需参加设备操作考试，需预约）

型号：H94-25C

厂商：四川南光真空科技有限公司

设备特点：

适用范围广

适用于Φ100mm以下(最小尺寸为Φ5mm)，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。

分辨率高

采用高均匀性的多点光源（蝇眼）曝光头，非常理想的三点式自动找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。

套刻精度高、速度快

采用版不动片动的下置式三层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消除间隙；承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。

可靠性高

采用PLC控制器、进口电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件，使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、检修简便。

特设“碎片”处理功能

解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。

性能指标：

曝光类型：单面；
曝光面积：110×110mm；
曝光照度不均匀性：≤3%；
曝光强度：≥40mw/cm2可调；
紫外光束角：≤3˚；
紫外光中心波长：365nm、404nm、435nm可选：
紫外光源寿命：≥2万小时；
曝光分辨率：1μm；
曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；
显微镜扫描范围：X：±40mmY：±40mm；
对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm；Q粗调±15°，细调±3°；
套刻精度：1μm；
分离量；0～50μm可调；
接触－分离漂移：≤1μm；
曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；
找平方式：三点式自动找平；
显微系统：双视场CCD系统，显微镜45X～300X连续变倍（物镜1.1X～7.5X连续变倍），双物镜距离可调范围11mm～100mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；
掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″；
基片尺寸：φ2、φ3、φ4；
基片厚度：≤5mm；
曝光定时：0～999.9秒可调；
对准方式：切斯曼对准机构；
曝光头转位：气动；
电源：单相AC220V50HZ，功耗≤1KW；
洁净空气压力：≥0.4MPa；
真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；
尺寸：920mm（长）×680mm（宽）×1600mm（高）；
重量：约180Kg。

管式炉

型号：KTL-1700

简介：以1800型硅钼棒加热元件，有两个加热区，采用双层壳体结构，每个加热区能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端装有不锈钢法兰，不锈钢法兰上安装有气嘴、阀门和压力表，抽真空时真空度能够达到10^-3 Pa，该炉为卧式，两个温区可以独立控制、设置不同的温度，使用方便，操作简单，该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。